类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A（@Tc=100℃）
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，典型值为9.8mΩ；@VGS=4.5V时，典型值为15mΩ
　　功率耗散（PD）：35W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：D2PAK（TO-263）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V（在ID=250μA时）
　　输入电容（Ciss）：约1900pF（@VDS=25V时）

CS4N80A3HD-G具有多项优异的电气和热性能特性。首先，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其次，其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）使其在高频开关应用中具有更快的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高效率DC-DC转换器和同步整流电路。
　　此外，CS4N80A3HD-G具有高达80V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压电源应用。其±20V的栅源电压容限增强了抗过压能力，提高了设计的灵活性和可靠性。该器件的封装形式为D2PAK（TO-263），属于表面贴装封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET的热阻（RθJC）较低，有助于在高电流工作条件下保持良好的热稳定性，避免因温度过高而导致性能下降或损坏。其工作温度范围为-55℃至150℃，适用于工业级和汽车电子应用，具备良好的环境适应能力。
　　总体而言，CS4N80A3HD-G凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关特性以及优良的热管理能力，是一款适用于多种电源管理和功率转换应用的理想选择。

CS4N80A3HD-G被广泛应用于多个高功率密度和高效率需求的电子系统中。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作高侧或低侧开关，提高转换效率并减少发热。在同步整流器中，其低导通电阻可显著降低传导损耗，提升整体能效。此外，该器件适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机、工业电机驱动和电源开关等应用场景。
　　由于其良好的热性能和高耐压能力，CS4N80A3HD-G也适合用于负载开关电路，例如在服务器电源、通信设备和嵌入式系统中，用于控制大电流负载的开启与关闭。同时，其表面贴装封装形式便于自动化生产，提升了制造效率。
　　在汽车电子领域，CS4N80A3HD-G可用于车载充电器、电池管理系统、车载逆变器以及电动助力转向系统等，满足汽车环境对可靠性和稳定性的严格要求。

SiHF80N08DY-T2-E3, FDP80N08SL, IPP80N08S4-03