您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PHP101NQ04T

PHP101NQ04T 发布时间 时间:2025/7/8 23:06:03 查看 阅读:7

PHP101NQ04T 是一款 N 沟道功率 MOSFET,适用于各种高效能开关和负载驱动应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力等特性。其封装形式为节省空间的 SOT-23 封装,非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
  PHP101NQ04T 主要用于电源管理领域,如 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路等。它的设计优化了功耗与性能之间的平衡,能够在高温环境下保持稳定的运行。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻(典型值):180mΩ
  栅极阈值电压:1.2V
  总功耗:450mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 低导通电阻 (Rds(on)) 可降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度减少开关损耗,支持高频操作。
  3. 小型 SOT-23 封装节省 PCB 空间。
  4. 高静电放电 (ESD) 抗扰度确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 宽工作温度范围适应各种极端条件下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
  2. DC-DC 转换器和降压电路。
  3. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
  4. 电池保护和负载开关。
  5. 小型电机驱动和固态继电器。
  6. 各种消费类电子产品中的低功率控制电路。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDP130AN
  SI2302DS

PHP101NQ04T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PHP101NQ04T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PHP101NQ04T参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压40 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.008 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间33 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散157 W
  • 上升时间51 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间51 ns
  • 零件号别名PHP101NQ04T,127