时间：2025/7/8 23:06:03
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PHP101NQ04T 是一款 N 沟道功率 MOSFET，适用于各种高效能开关和负载驱动应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力等特性。其封装形式为节省空间的 SOT-23 封装，非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
PHP101NQ04T 主要用于电源管理领域，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路等。它的设计优化了功耗与性能之间的平衡，能够在高温环境下保持稳定的运行。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：450mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 低导通电阻 (Rds(on)) 可降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度减少开关损耗，支持高频操作。
3. 小型 SOT-23 封装节省 PCB 空间。
4. 高静电放电 (ESD) 抗扰度确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 宽工作温度范围适应各种极端条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. DC-DC 转换器和降压电路。
3. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
4. 电池保护和负载开关。
5. 小型电机驱动和固态继电器。
6. 各种消费类电子产品中的低功率控制电路。
AO3400
IRLML6402
FDP130AN
SI2302DS
