时间：2025/6/11 16:37:28
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BTR04G3是一款基于硅材料的高压MOSFET晶体管，专为高功率开关应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式结构，从而提高了性能和可靠性。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，适用于各种电源管理场景。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：0.4Ω
栅极阈值电压：2.5V
功耗：15W
结温范围：-55℃至+150℃
BTR04G3具有卓越的电气性能，适合高电压环境下的应用。它的低导通电阻有效减少了功率损耗，同时高速开关特性使其在高频工作条件下表现出色。此外，该器件还具备出色的热稳定性和抗静电能力，确保了在恶劣环境下仍能保持可靠的运行。
BTR04G3采用TO-220封装形式，便于散热设计，并且引脚布局合理，简化了PCB布线过程。其优异的动态性能和静态性能，使得它成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
BTR04G3广泛应用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电磁阀控制等场景。由于其高耐压特性和低功耗表现，也常用于太阳能逆变器、LED驱动器以及其他需要高效能量器件还可用于过流保护电路，以提高系统的安全性和稳定性。
BTR04G2
IRF840
FDP55N06L
