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IRFU48ZPBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:43:27 查看 阅读:5

IRFU48ZPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管。它采用了先进的制造工艺,专为高效率和高可靠性应用而设计。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能,使其非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理场景。
  作为一款N沟道增强型场效应晶体管,IRFU48ZPBF能够承受较高的电压和电流负载,同时提供高效的功率转换能力。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:1.2Ω
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=45ns, toff=39ns
  功耗:1W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRFU48ZPBF拥有出色的电气性能和可靠性:
  1. 低导通电阻确保了在大电流条件下较低的功率损耗,从而提高了整体系统效率。
  2. 快速开关速度减少了开关损耗,使得该器件非常适合高频应用。
  3. 高额定电压和电流使其适用于广泛的工业和消费类电子设备。
  4. 出色的热稳定性保证了其在极端环境下的可靠运行。
  5. 小封装设计节省了电路板空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 符合RoHS标准,支持环保要求。

应用

IRFU48ZPBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机控制和驱动
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. 各种需要高效功率转换的电子产品
  由于其高性能和可靠性,该器件特别适合需要高效率和小尺寸的应用场景。

替代型号

IRFU4902, IRFU540G, STP16NF06

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IRFU48ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1720pF @ 25V
  • 功率 - 最大91W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU48ZPBF