时间：2025/9/13 23:38:11
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BUK7Y21-40E是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的功率MOSFET器件，属于标准逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率电源管理和开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用场景。BUK7Y21-40E采用标准TO-252（DPAK）封装，便于散热并具有良好的热稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V；60mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：32W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
BUK7Y21-40E具有多项优异的电气和热性能特性，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。在10A连续漏极电流能力下，该MOSFET能够在高负载条件下保持稳定运行。其逻辑电平驱动特性允许使用标准5V栅极驱动电压进行有效控制，从而简化与数字控制器或微处理器的接口设计。
此外，该器件具备良好的热稳定性，采用TO-252封装，具有良好的散热能力，适用于需要持续高功率运行的应用场景。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提供更高的可靠性和抗干扰能力。同时，该器件符合RoHS环保标准，并具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高电压瞬态环境下的稳定性。
BUK7Y21-40E广泛应用于各种中高功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池充电电路以及工业自动化控制设备。其高效率和良好的热性能使其成为电源管理模块和便携式设备中理想的功率开关元件。此外，由于其逻辑电平驱动特性，特别适用于由微控制器或数字控制器直接驱动的场合，如智能电源管理单元和嵌入式系统中的功率调节电路。
BUK7Y21-40E的替代型号包括BUK7Y23-40E、IRLZ44N、FDPF4N40、STP55NF06L、FDS4410A等。
