时间：2025/6/18 12:27:38
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PHB45N03LT 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高效能开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，非常适合于要求高性能和低损耗的应用场景。
该型号属于 PowerHDFET 系列，主要应用于汽车电子、工业控制以及电源管理领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：1450pF
功耗：270W
工作温度范围：-40℃至175℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中实现更低的功耗。
2. 极高的开关速度，减少开关损耗，提升整体系统效率。
3. 高温性能优异，能够在极端温度环境下稳定运行。
4. 采用 TO-220 封装，便于散热和安装。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 提供出色的 ESD 和雪崩保护功能，增强器件可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的高频开关元件。
2. 电动车辆中的电机驱动电路。
3. 工业设备中的负载切换。
4. LED 驱动器中的功率管理。
5. DC/DC 转换器中的同步整流元件。
6. 各种电池管理系统 (BMS) 的关键组件。
IRFZ44N
FDP15N10
STP45NF03L
