时间：2025/4/30 18:28:41
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KFP2011P6是一种高压、高功率的场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而提升整体效率并减少能量损耗。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，通常用于高压侧开关应用。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合在高功率环境下工作。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：95nC
总功耗：360W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压，适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够支持高频工作条件。
4. 强大的雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
5. TO-247封装提供优秀的热管理和机械稳定性，适合高功率应用场景。
6. 超宽的工作温度范围，适应各种极端环境。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 逆变器和太阳能逆变器的核心功率器件。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 各类高压电力电子设备中的开关组件。
KFP2011P5, IRFP260N, STP20N120KP
