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TIP35C 发布时间 时间:2024/8/21 16:13:31 查看 阅读:296

这些器件采用平面技术制造,具有“基地岛”布局。由此产生的晶体管显示出卓越的高增益性能和非常低的饱和电压。

特征说明

集电极-发射极饱和电压低
  互补型NPN-PNP晶体管

特征说明

一般用途
  音频放大器

技术参数

频率:3 MHz
  额定电压(DC):100 V
  额定电流:25.0 A
  针脚数:3
  极性:NPN
  耗散功率:125 W
  集电极击穿电压:100 V
  击穿电压(集电极-发射极):100 V
  最小电流放大倍数(hFE):10 15A,4V
  额定功率(Max):125 W
  直流电流增益(hFE):50
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-65℃
  耗散功率(Max):125000 mW

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-247-3

外形尺寸

长度:15.75 mm
  宽度:5.15 mm
  高度:20.15 mm
  封装:TO-247-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:工业

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TIP35C参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)25A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)4V @ 5A,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 15A,4V
  • 功率 - 最大125W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-218-3
  • 供应商设备封装SOT-93
  • 包装管件
  • 其它名称TIP35COS