时间：2025/6/19 6:40:27
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FQPF19N20C是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种开关和功率管理应用。其设计特点是具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够满足高效率和高可靠性需求的电路设计。
这款MOSFET主要应用于电源转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率切换的场合。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：19A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：37nC
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQPF19N20C具有以下关键特性：
1. 高雪崩能量能力，增强系统的可靠性和耐用性。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代设计要求。
5. TO-220封装易于安装和散热管理。
该MOSFET广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 逆变器和DC-DC转换器的核心元件。
3. 各种电机控制和驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备和家用电器中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP19NF06
FQP19N10
IXTP19N20L
