时间：2025/8/6 21:32:21
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PFF6N70H是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET，专为高性能开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源管理、电机控制、照明系统和DC-DC转换器等广泛的应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏源电压（VDS）：700V
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：23nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：60W
PFF6N70H具备多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高能效。高漏源击穿电压（700V）使得该器件能够承受高电压应力，适用于高压电路环境。
此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，降低开关损耗，适用于高频开关应用。热阻低的TO-220封装设计提升了器件的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性和耐用性。PFF6N70H的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路配置，提高了设计的灵活性。
PFF6N70H广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动器）、家用电器控制电路以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的高压功率转换应用。
STP6NK70Z, FQP6N70, IRFBC40
