时间：2025/7/14 15:24:43
阅读：10
MRF9045NBR1是一款由ON Semiconductor生产的射频功率晶体管，属于双极型晶体管（BJT）类别。该器件专为高频率和高功率应用设计，常用于射频放大器、通信设备以及工业控制系统中。MRF9045NBR1采用了先进的制造工艺，确保了在高频段下的高性能表现。其封装形式为表面贴装封装（SMD），方便在现代电子设备中的集成。
类型：双极型晶体管 (BJT)
技术：硅
集电极-发射极电压（VCEO）：65 V
集电极-基极电压（VCBO）：120 V
发射极-基极电压（VEBO）：4 V
最大集电极电流（IC）：1.5 A
最大功耗（PD）：30 W
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
增益带宽积（fT）：175 MHz
输出功率：25 W（典型值）
阻抗匹配：50Ω输入/输出
MRF9045NBR1具备优异的射频性能，能够在高达175 MHz的频率范围内提供稳定的功率放大效果。其高击穿电压（VCBO为120V）和大电流承载能力（最大集电极电流为1.5A）使其适用于需要高可靠性和高功率处理能力的应用场景。
MRF9045NBR1的设计支持高效的线性放大，同时具备良好的热稳定性和较低的失真率，适合用于无线通信系统中的射频信号放大。此外，该晶体管具有良好的输入/输出阻抗匹配特性（50Ω），简化了外围电路的设计与实现。
该器件采用紧凑的表面贴装封装，便于自动化生产和高密度PCB布局，同时也具备较好的散热性能，能够适应较宽的工作温度范围（-65°C至+150°C），保证了在各种环境条件下的稳定运行。
MRF9045NBR1广泛应用于射频功率放大器模块的设计，特别是在无线通信、广播设备、测试仪器及工业控制系统的射频前端电路中。其高频特性和高功率输出能力使其成为短波和超短波频段设备的理想选择。此外，该晶体管也适用于需要高效能射频放大的其他专业领域，如雷达系统、医疗成像设备等。
MRF9045NBR1G, MRF9045NBR1G-D, MRF9045
