时间：2025/6/19 15:02:27
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STGWA40H120DF2 是由 STMicroelectronics 生产的一种高压 MOSFET 功率晶体管。该器件采用沟槽栅极结构设计，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换应用。它支持高达 1200V 的击穿电压，并且能够提供 40A 的连续漏极电流，使其非常适合工业和汽车领域的高功率应用。
STGWA40H120DF2 还具备快速开关性能，有助于减少开关损耗，同时其坚固的雪崩能力和低电容特性增强了系统的可靠性和稳定性。
类型：MOSFET
最大漏源电压：1200 V
最大连续漏极电流：40 A
最大栅极源极电压：±20 V
导通电阻（典型值）：95 mΩ
总功耗：360 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK (TO-263)
状态：活性
STGWA40H120DF2 具有出色的电气特性和机械可靠性，以下是其主要特点：
1. 高压能力：1200V 的额定电压确保了其在高压环境下的稳定运行。
2. 大电流承载能力：可承受高达 40A 的连续漏极电流，适用于大功率场景。
3. 快速开关速度：优化的内部结构使开关时间更短，从而减少了能量损耗。
4. 耐热性：能够在极端温度条件下正常工作，包括高温至 +175°C 和低温至 -55°C。
5. 强大的抗雪崩能力：提高了器件在异常情况下的生存能力。
6. 紧凑封装：D2PAK 封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能。
这些特性使得 STGWA40H120DF2 成为需要高效率、高可靠性的电力电子应用的理想选择。
STGWA40H120DF2 广泛应用于以下领域：
1. 电机驱动器：如工业自动化设备中的伺服驱动器和变频器。
2. 开关电源 (SMPS)：用于高效率的 AC-DC 和 DC-DC 转换。
3. 太阳能逆变器：在光伏系统中实现直流到交流的高效转换。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：作为主驱逆变器或辅助电源模块的核心元件。
5. UPS 系统：不间断电源中需要稳定可靠的功率管理。
6. LED 照明：用于大功率 LED 驱动器，保证亮度和节能效果。
总之，任何需要高功率密度和高效率的场合都可以考虑使用该器件。
STGWB50H120DF2, IRG4PC30KD, FGH60N120MD
