RU30L30M 时间：2025/6/18 22:45:17 阅读：3

RU30L30M是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺设计，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件具备低导通电阻和快速开关特性，有助于降低功耗并提升系统整体性能。

参数

型号：RU30L30M
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：3mΩ
　　总栅极电荷(Qg)：45nC
　　开关速度：快速开关
　　封装形式：TO-220

特性

RU30L30M具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，在典型工作条件下可达到3mΩ，从而显著降低传导损耗。
　　2. 快速的开关速度，总栅极电荷Qg仅为45nC，适用于高频应用。
　　3. 高电流处理能力，连续漏极电流可达30A，能够应对大功率负载需求。
　　4. 良好的热性能，确保在高功率密度应用中保持稳定运行。
　　5. TO-220封装形式，易于安装且散热效果优异。

应用

RU30L30M广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
　　3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
　　4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。