PESDNC2XD7VBF是一款高性能的双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,主要用于保护高速数据线和信号线免受瞬态电压的影响。该器件采用超低电容设计,适合于高速接口如USB、HDMI等应用,能够在不影响信号完整性的前提下提供强大的ESD防护能力。
此器件基于硅雪崩技术制造,具有低泄漏电流和高击穿电压特性,能够承受多次ESD冲击而不会损坏或性能下降。
工作电压:±7V
最大箝位电压:14.5V
响应时间:典型值1ps
电容:0.3pF
漏电流:最大1μA(在2VRMS条件下)
封装形式:DFN1006-2
工作温度范围:-55℃至+150℃
PESDNC2XD7VBF的主要特点包括:
1. 超低电容设计,仅为0.3pF,非常适合高速数据线路。
2. 双向保护结构,可同时保护正负极性ESD冲击。
3. 极快的响应时间(1皮秒),确保瞬态电压被迅速抑制。
4. 高度可靠,符合IEC 61000-4-2国际标准,能承受±30kV接触放电和±30kV空气放电。
5. 小型化封装DFN1006-2,节省PCB空间,适用于便携式设备和高密度电路板。
6. 工作温度范围广,适应恶劣环境下的使用需求。
7. 符合RoHS标准,绿色环保。
PESDNC2XD7VBF广泛应用于需要高性能ESD保护的各种电子设备中,具体应用领域包括:
1. 高速数据接口保护,例如USB 2.0/3.0、HDMI、DP(DisplayPort)、MIPI等。
2. 无线通信模块保护,如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等。
3. 消费类电子产品中的敏感电路保护,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等。
4. 工业自动化设备中的信号线保护。
5. 汽车电子系统中的数据总线保护,如CAN、LIN、FlexRay等。
PESD2YCTVBF, PESD2XMBFT