IRFR3710ZTR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和电机驱动应用。其出色的电气性能使其成为需要高效能、低功耗解决方案的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:14A
导通电阻:9mΩ
栅极电荷:15nC
开关速度:快速
封装类型:TO-252
IRFR3710ZTR是一款增强型N沟道MOSFET,主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高系统效率。
其快速的开关速度有助于降低开关损耗,并且在高频应用中表现优异。
器件具备良好的热稳定性和可靠性,能够承受较高的结温,适合工业及消费类电子设备中的各种功率转换场景。
此外,它还拥有较小的封装体积,便于电路板布局设计。
IRFR3710ZTR广泛应用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动、负载切换以及电池保护等场合。
由于其低导通电阻和高电流处理能力,特别适合用于便携式设备的电源管理模块。
同时,也可用于工业控制领域的功率放大器和逆变器设计。
IRFZ44N
STP14NF06L
FDP18N60C