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IRFR3710ZTR 发布时间 时间:2025/6/29 13:48:05 查看 阅读:3

IRFR3710ZTR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和电机驱动应用。其出色的电气性能使其成为需要高效能、低功耗解决方案的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-252

特性

IRFR3710ZTR是一款增强型N沟道MOSFET,主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高系统效率。
  其快速的开关速度有助于降低开关损耗,并且在高频应用中表现优异。
  器件具备良好的热稳定性和可靠性,能够承受较高的结温,适合工业及消费类电子设备中的各种功率转换场景。
  此外,它还拥有较小的封装体积,便于电路板布局设计。

应用

IRFR3710ZTR广泛应用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动、负载切换以及电池保护等场合。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,特别适合用于便携式设备的电源管理模块。
  同时,也可用于工业控制领域的功率放大器和逆变器设计。

替代型号

IRFZ44N
  STP14NF06L
  FDP18N60C

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IRFR3710ZTR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2930pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)