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NSPR346GST-D1 发布时间 时间:2025/9/10 19:17:36 查看 阅读:27

NSPR346GST-D1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管阵列器件,属于达林顿晶体管阵列类别。该器件集成了多个NPN晶体管,旨在提供高电流增益和高效的开关性能。NSPR346GST-D1 通常用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中,例如LED驱动、继电器控制、电机控制以及工业自动化系统。

参数

晶体管类型:NPN 达林顿晶体管阵列
  集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极-基极电压(Vcb):30V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  最大集电极电流(Ic):每个晶体管 200mA
  功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:16

特性

NSPR346GST-D1 晶体管阵列具有多项优异的电气特性和设计优势。首先,它集成了多个 NPN 达林顿晶体管,每个晶体管都具有高电流增益,从而减少了对外部驱动电路的需求,简化了整体电路设计。其次,该器件采用了达林顿结构,显著提高了电流放大系数,使得在较低的基极电流下仍能驱动较大的负载电流。此外,NSPR346GST-D1 的工作电压范围较宽,集电极-发射极电压最大可达 30V,适用于多种中低功率应用场景。它的封装形式为 TSOP,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。该器件还具有较高的可靠性和较长的使用寿命,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
  在电气特性方面,NSPR346GST-D1 的每个晶体管最大集电极电流为 200mA,总功耗为 300mW,足以满足多数中等功率负载的驱动需求。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端温度条件下保持正常工作。同时,该器件的存储温度范围也较宽,确保了在不同环境下的存储和运输安全。NSPR346GST-D1 的封装为 16 引脚 TSOP,方便在 PCB 上布局和焊接,同时也支持自动化装配流程。

应用

NSPR346GST-D1 广泛应用于多个电子领域。由于其集成多个晶体管和高电流增益的特性,它常用于 LED 显示屏驱动电路中,可以同时驱动多个 LED 而不需要额外的放大电路。在工业自动化系统中,该器件可用于控制继电器、小型电机或其他执行器,通过微控制器或逻辑电路直接驱动,提高系统的集成度和可靠性。此外,NSPR346GST-D1 也常用于消费类电子产品中,如家用电器的控制板、智能照明系统等,帮助实现高效的开关控制。在汽车电子领域,该器件可用于车身控制模块、仪表盘指示灯驱动等应用,其宽工作温度范围确保了在汽车复杂环境下的稳定运行。另外,它也适用于测试设备、传感器接口电路以及各种需要多路晶体管控制的场合。

替代型号

ULN2003A, ULN2803A, TIP122, BCX56

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