时间：2025/9/14 9:08:25
阅读：10
1PS76SB10Z 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高频双极晶体管（BJT），专为低噪声放大器（LNA）应用设计。该器件属于NPN型晶体管，具有出色的高频性能和低噪声系数，非常适合用于无线通信系统、射频（RF）接收器以及测试设备中的前置放大器部分。1PS76SB10Z 采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种高性能射频电子设备。
类型：NPN双极晶体管
工作频率：最高可达2 GHz
噪声系数：典型值为0.55 dB（在1 GHz，Ic=10 mA）
集电极电流（Ic）：最大100 mA
功耗（Ptot）：300 mW
增益（hFE）：典型值为60-250（分档）
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1PS76SB10Z 具备多项优异的电气特性，使其在射频低噪声放大应用中表现出色。
首先，其高频性能卓越，工作频率可高达2 GHz，适用于GSM、WCDMA、Wi-Fi、蓝牙等多种无线通信标准。这使得该晶体管能够广泛应用于现代通信设备的射频前端电路中。
其次，该器件的噪声系数非常低，典型值为0.55 dB，在1 GHz频率和集电极电流为10 mA的工作条件下表现出色。这一特性使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，有助于提高接收系统的灵敏度和信号质量。
此外，1PS76SB10Z 的增益（hFE）范围为60至250（具体分档），提供了良好的线性放大能力，并可根据具体应用需求进行选型。最大集电极电流为100 mA，支持中等功率放大应用，同时具备良好的热稳定性和功耗控制能力（最大功耗为300 mW），有助于提高系统的可靠性和稳定性。
该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，并具有良好的散热性能。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和商业应用环境。
1PS76SB10Z 主要应用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器（LNA）设计。由于其优异的噪声性能和高频响应，该器件常被用于无线基站、卫星通信设备、GPS接收器、Wi-Fi和蓝牙模块等射频接收前端。此外，它也适用于测试测量设备中的信号放大电路，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等。
在消费类电子产品中，1PS76SB10Z 也可用于无线音频传输设备、遥控器、RFID读写器等需要高频信号放大的场合。由于其良好的线性度和稳定性，该晶体管还可用于功率放大器的前级驱动电路，以提高整体系统的信号质量和传输距离。
在工业和汽车电子领域，该器件适用于各种射频识别（RFID）、远程信息处理系统（Telematics）和无线传感器网络中的低噪声信号处理电路。
BFU520, BFP420, BFQ11, BFR93A
