时间：2025/9/2 3:59:31
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H5PS1G83EFR-G7CR-C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能低功耗LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率4代同步动态随机存储器）芯片。该型号主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及高性能计算设备中，提供高速数据存取能力和较低的功耗，适用于对功耗敏感的便携式电子产品。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：1Gb（128MB）
数据宽度：8位
电压：1.1V 核心电压（VDD）/ 1.1V 或 1.8V 输入/输出电压（VDDQ）
时钟频率：最大可达1600MHz
数据速率：3200Mbps（Mbps = 兆比特每秒）
封装：134-ball FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5PS1G83EFR-G7CR-C 的核心特性之一是其低功耗设计，适用于移动设备和嵌入式应用。它支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电电源下降模式，从而有效降低系统整体功耗。
该芯片采用差分时钟（Differential Clock）和差分数据选通（DQS）技术，提高了数据传输的稳定性和抗干扰能力。此外，它支持命令和地址信号的片选（CS）控制，允许在同一总线上连接多个存储设备。
其3200Mbps的高数据速率确保了系统在处理图形、视频和大型应用程序时具有流畅的性能表现。同时，H5PS1G83EFR-G7CR-C 的封装形式为134-ball FBGA，体积小巧，便于集成到空间受限的设计中。
这款LPDDR4 SDRAM还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，可以根据环境温度自动调整刷新周期，进一步优化功耗和数据保持能力。
H5PS1G83EFR-G7CR-C 广泛应用于各种对性能和功耗都有较高要求的电子设备中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、工业控制设备、车载信息娱乐系统以及便携式医疗设备等。
在智能手机和平板电脑中，该芯片用于主内存，为操作系统、应用程序和用户数据提供快速的数据存储与访问能力，从而提升设备的整体响应速度和用户体验。
在工业自动化设备中，它用于实时数据缓存和系统运行内存，支持复杂控制算法和数据处理任务的高效执行。
在车载系统中，H5PS1G83EFR-G7CR-C 可用于导航系统、车载娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），满足汽车电子对高可靠性和宽温工作范围的要求。
此外，该芯片也适用于物联网（IoT）设备、边缘计算设备以及人工智能（AI）边缘终端，为边缘端的数据处理和缓存提供高效支持。
H5PS1G83EFR-RDCA（更高频率版本）、H5PS1G83ECR-GRD、H5PS1G83EFR-G8CA、H5PS1G83ECR-G7CA、H5PS1G83ECR-G8CA
