时间：2025/7/9 0:59:32
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PESDNC2FD5V5BH 是一款高性能的双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列，专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术，具有低电容特性，可确保在高频应用中对信号完整性的影响最小化。
此型号适用于 USB、HDMI、以太网等高速数据接口的保护，能够在系统遭受静电放电冲击时快速响应并钳位过压，从而有效保护敏感电子元件。
工作电压：5V
最大箝位电压：18V
峰值脉冲电流：±20A
电容：0.4pF
响应时间：≤1ns
封装类型：DFN1006-2
PESDNC2FD5V5BH 具有以下主要特性：
1. 极低的结电容（仅 0.4pF），非常适合用于高速数据线路。
2. 快速响应时间（≤1ns），能够及时有效地抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的双向保护功能，支持正负极性静电放电事件。
4. 符合 IEC61000-4-2 国际标准，能够承受 ±15kV 空气放电和 ±8kV 接触放电。
5. 小型化的 DFN1006-2 封装，有助于节省 PCB 空间。
6. 无铅环保材料，符合 RoHS 指令要求。
PESDNC2FD5V5BH 广泛应用于各种需要高速信号保护的场景，例如：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 高速视频接口防护。
3. 工业以太网和其他通信设备中的瞬态电压防护。
4. 移动设备如智能手机和平板电脑中的射频电路保护。
5. 汽车电子系统的高速总线保护，如 CAN 总线或 LIN 总线。
PESD2CANFD5V5BH, PESD2FD5V0U_SMB, PESD1CANFD5V5BH
