类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：3.3A
　　最大漏源电压：20V
　　最大栅源电压：12V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.068Ω @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω @ Vgs=2.5V
　　栅极电荷：8.3nC
　　输入电容：380pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

SI2302-A2SHB 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件在 4.5V 栅极驱动电压下可实现接近饱和的导通状态，适用于由锂离子电池供电的设备，因为这些系统通常在 4.2V 左右运行。
　　此外，SI2302-A2SHB 的 TrenchFET 技术提供了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，使得在相同功耗下可以使用更小的封装。这种特性对于便携式电子设备和高密度电源模块尤为重要。
　　该 MOSFET 还具有快速开关能力，栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现出色，例如用于 DC-DC 转换器或同步整流器。此外，其 SOT-23 封装具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，SI2302-A2SHB 具备良好的抗静电能力和高温稳定性，适用于工业级和消费级应用。其 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围确保了在极端环境下的可靠运行。

SI2302-A2SHB 主要应用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用作高侧或低侧开关，以提高转换效率并减少发热。在同步整流电路中，它可以替代传统二极管，以降低导通压降并提高系统效率。
　　该 MOSFET 也广泛用于电池管理系统，如充电电路和放电保护电路，特别是在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。由于其低导通电阻和快速开关特性，SI2302-A2SHB 非常适合用于负载开关，以控制不同子系统的电源供应，从而优化功耗。
　　此外，它还可用于马达驱动、LED 驱动器、电源管理 IC（PMIC）的外部开关，以及各种工业和消费类电子产品的电源控制模块。

Si2302DS, 2N7002K, AO3400, IRLML2502