PESD9B3V3UA 是一款由 NXP(恩智浦)生产的双向、低电容 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,专为高速信号线提供 ESD(静电放电)保护而设计。该器件具有极低的电容特性,适合用于高速数据接口,如 USB 3.0、HDMI、DisplayPort 等。它能够有效地抑制因静电放电、电气快速瞬变脉冲群(EFT)和其他瞬态事件引起的过电压,从而保护敏感的电子设备。
该器件采用超小型封装(DFN1210-2),非常适用于对空间要求严格的便携式电子设备。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:5A
钳位电压:17.8V
最大反向工作电压:4V
最小击穿电压:3.9V
结电容:0.6pF
响应时间:1ps
封装:DFN1210-2
1. 双向保护功能,可同时保护正负方向的信号线。
2. 极低的结电容(仅为 0.6pF),对高速信号的影响几乎可以忽略。
3. 快速响应时间(1ps),能够在瞬间抑制瞬态电压。
4. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准(接触放电 ±15kV,空气放电 ±15kV)。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,非常适合便携式设备和高密度设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
1. 高速数据接口的 ESD 保护,例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、MIPI、LVDS 等。
2. 消费类电子产品中的信号线保护,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
3. 工业控制设备中敏感信号线路的保护。
4. 通信设备中的射频和数字信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的高速 CAN 总线或 LIN 总线保护。
PESD9B3V3UAL, PESD9B3V3UT, PESD9B3V3UTC