时间：2025/8/6 3:55:30
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IXFH50N30Q是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适合用于电源转换器、电机控制、UPS系统和太阳能逆变器等电力电子设备。其封装形式为TO-247，方便散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：50A
最大漏源电压：300V
导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω
栅极电荷：180nC
最大功耗：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
IXFH50N30Q具备低导通电阻，使得在高电流应用中能够降低功耗并提高效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率系统，同时具备良好的热稳定性和耐久性。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够在高频率下稳定工作，减少开关损耗。其坚固的结构设计和优异的雪崩能量耐受能力增强了器件的可靠性，能够在恶劣的电气环境下长期运行。
由于其TO-247封装形式，IXFH50N30Q便于与散热器配合使用，从而有效管理热量，延长器件寿命。这种封装也有助于简化PCB布局和提高系统整体的热性能。
IXFH50N30Q广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
? 直流-直流转换器（DC-DC Converters）
? 逆变器（Inverters），如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）
? 电机驱动和控制电路（Motor Drives and Controls）
? 工业电源系统
? 高频开关电源（SMPS）
? 电池充电器和放电器
STP55N30K3AG, FCP50N30, FDP50N30, IRFPG50B
