时间：2025/9/6 1:09:00
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LTL1RMTGK6是一款由ROHM（罗姆）公司生产的P沟道功率MOSFET。该器件广泛用于需要高效率和高性能的电源管理系统中，例如在电池供电设备、DC-DC转换器以及负载开关应用中。这款MOSFET采用了TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，具有较小的封装尺寸和较高的热性能，非常适合空间受限的设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-1.1A
导通电阻(RDS(on))：典型值150mΩ（在VGS = -4.5V）
功率耗散(PD)：1.2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSON
引脚数：6
LTL1RMTGK6的导通电阻较低，使其在高电流应用中具有出色的效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在-4.5V至-8V之间工作，适用于多种电源管理电路设计。由于其封装设计，LTL1RMTGK6具备良好的热性能，有助于减少散热器的需求并节省空间。此外，这款MOSFET的开关速度较快，降低了开关损耗，从而提高了整体系统的能效。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。由于采用了ROHM的先进制造工艺，LTL1RMTGK6在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。
LTL1RMTGK6常用于以下应用领域：便携式电子设备的电源管理、DC-DC转换器中的同步整流器、电池充电和保护电路、负载开关控制、电源分配系统以及电机驱动电路等。其紧凑的封装和高效率特性使其成为移动设备和空间受限设计的理想选择。
Si4435DY, BSS84, AO4403
