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PESD5Z7.0.115 发布时间 时间:2025/9/14 6:21:47 查看 阅读:6

PESD5Z7.0.115 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一款静电放电(ESD)保护二极管阵列芯片。该器件专为高速数据线路和敏感电子元件提供高效、可靠的静电放电保护而设计,适用于多种电子设备和工业应用。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  工作电压:7V
  钳位电压:11.5V(最大)
  反向关态电压:5.5V
  最大反向漏电流:100nA
  峰值脉冲电流(8/20μs):10A
  封装类型:SOT23-5

特性

PESD5Z7.0.115 具备出色的ESD保护性能,其设计能够在极端静电放电事件中保护下游电路免受损坏。该器件的钳位电压较低,可有效减少因高压脉冲导致的电路损伤。此外,PESD5Z7.0.115 的工作电压为7V,反向关态电压为5.5V,适合在中低电压应用中使用。
  该芯片的封装形式为SOT23-5,这种小型封装适合在空间受限的电路板设计中使用,同时保持良好的热管理和电气性能。它的峰值脉冲电流能力为10A(8/20μs波形),使其能够承受常见的静电放电事件。反向漏电流极低(最大100nA),确保在正常工作条件下的低功耗表现。
  PESD5Z7.0.115 的设计还提供了出色的信号完整性,适用于高速数据线路的保护,例如USB接口、HDMI接口和以太网连接等。此外,其低电容特性减少了对高速信号传输的影响,确保系统在保护状态下仍能正常运行。

应用

PESD5Z7.0.115 广泛应用于需要静电放电保护的电子设备中,特别是在便携式电子产品和通信设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业控制设备以及网络和通信模块。该器件特别适用于保护USB 2.0、HDMI、以太网和其他高速数据接口,防止因静电放电或瞬态电压引起的损坏。此外,它也可用于保护敏感的模拟和数字电路,确保电子设备在严苛环境下的稳定运行。

替代型号

PESD5Z7.0, PESD5Z7.0A, PESD5Z7.0B

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