类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：约6.5mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等
　　功率耗散(Pd)：200W（最大值）

K881具有多项优异的电气和热性能，能够满足多种高要求的应用场景。首先，其导通电阻非常低，通常在6.5mΩ左右，这使得在大电流工作时的功耗显著降低，提高了系统的整体效率。其次，K881的最大漏源电压为60V，能够支持较高电压的功率转换应用，如电源适配器、DC-DC转换器等。此外，该器件的连续漏极电流可达30A，具备较强的电流承载能力，适用于需要高功率输出的系统。K881还具有良好的热稳定性，工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合在恶劣环境下工作。封装形式方面，K881常见的有TO-220和D2PAK两种，便于安装和散热设计，提高了在PCB上的适应性和可靠性。
　　K881的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，降低了因过压或噪声引起的误触发风险。其高频响应特性使其适用于高频开关应用，如开关电源和电机驱动器。此外，K881的结构设计优化了开关损耗，减少了在导通与关断过程中的能量消耗，从而提高了系统的能效。由于其优异的性能和可靠性，K81在工业控制、汽车电子、消费类电源管理等领域得到了广泛应用。

K881因其出色的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在开关电源中，K881常用于主开关管或同步整流器，以提高电源转换效率。在DC-DC转换器中，K881用于高频开关操作，实现稳定的电压调节。此外，K881也常用于电机驱动和负载开关电路中，控制大功率负载的开启与关闭。在电池管理系统中，K881可作为充放电控制开关，确保电池的安全运行。同时，由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，K881也适用于汽车电子、工业自动化和嵌入式系统等对可靠性要求较高的场合。

IRFZ44N, STP30NF06L, FDP6030L, Si4410DY