时间：2025/7/22 5:23:02
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STB21N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，例如电源适配器、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备中的电源模块。STB21N65M5采用先进的MESH OVERLAY技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压，能够在高压环境下提供优异的导通和开关性能。这款MOSFET封装在TO-220FP封装中，适合用于需要高效散热和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：21A（在Tc=100℃）
栅源电压（VGS）：±20V
RDS(on)（最大值）：0.23Ω（在VGS=10V时）
导通延迟时间（td(on)）：13ns
上升时间（tr）：40ns
关断延迟时间（td(off)）：35ns
下降时间（tf）：22ns
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
STB21N65M5的主要特性之一是其出色的导通性能。该器件在VGS=10V时的RDS(on)最大为0.23Ω，使得在高电流应用中能够实现较低的导通损耗。这种低导通电阻特性对于提高电源转换效率至关重要。
此外，STB21N65M5具有高达650V的漏源击穿电压，使其适用于高压电源系统，如交流-直流转换器和工业电机驱动器。其高耐压能力确保了在严苛环境下的稳定运行。
该MOSFET采用了意法半导体先进的MESH OVERLAY技术，这种技术优化了电场分布，提高了器件的可靠性并减少了开关损耗。其开关特性也非常出色，导通延迟时间为13ns，上升时间为40ns，关断延迟时间为35ns，下降时间为22ns，使得它在高频开关应用中表现优异。
封装方面，STB21N65M5使用TO-220FP封装，这种封装形式具备良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持器件的稳定性。同时，该封装也便于安装在散热片上，从而提高整体热管理效率。
器件还具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种恶劣的工业环境，确保在高温条件下仍能可靠运行。
STB21N65M5广泛应用于多种电源管理系统中，尤其是在需要高电压和高效率的场合。例如，在开关电源（SMPS）设计中，STB21N65M5常用于主开关管，用于提高电源转换效率和降低系统功耗。
该器件也适用于工业自动化设备中的电机驱动器和变频器，能够提供稳定的高压开关性能。在这些应用中，STB21N65M5的低导通电阻和高击穿电压特性可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
此外，STB21N65M5还常用于电源适配器、LED驱动电源、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器等应用中。在这些应用中，该MOSFET的高效开关特性和优异的热管理能力使其成为理想的选择。
STF21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5
