PESD5D24C 是一款超低电容、双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列,专为保护高速数据接口免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压威胁而设计。该器件具有极低的电容特性,非常适合高速信号线路的应用场景,例如 USB 3.1、HDMI、DisplayPort 等。其封装小巧,能够有效节省电路板空间。
该二极管采用双向钳位设计,能够在正负方向上提供对称的保护性能,同时确保信号完整性不受影响。PESD5D24C 的最大工作电压为 5V,具备高浪涌能力,并且符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 防护要求。
工作电压:5V
峰值脉冲电流20μs)
击穿电压:24V
箝位电压:34.4V
动态电阻:0.6Ω
电容:0.4pF
响应时间:典型值 1ps
封装:DFN1006-2 (1.0x0.6mm)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 超低电容设计,适合高速数据线应用。
2. 双向对称保护,可应对正负方向的瞬态电压。
3. 符合 IEC 61000-4-2 国际标准的第四级 ESD 防护要求。
4. 小型化封装,有助于节省 PCB 空间。
5. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压。
6. 工作温度范围广,适应多种环境条件。
7. 高浪涌耐受能力,确保长期可靠性。
1. 高速数据接口保护,如 USB 3.1、USB Type-C、HDMI 和 DisplayPort。
2. 移动设备中的射频前端保护,如智能手机和平板电脑。
3. 工业和消费类电子产品的通信端口防护。
4. 传感器信号线路的 ESD 和瞬态保护。
5. 网络设备和存储设备的数据线防护。
6. 汽车电子系统中高速信号传输线的保护。
PESD5V0X1B, PESD5V0UA1B