H5TQ4G63AFRPBC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动DRAM(mDRAM)类别,主要用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备中,提供高效能和低功耗的内存解决方案。H5TQ4G63AFRPBC 的存储容量为4Gb(Gigabit),采用LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)技术,支持高带宽数据传输,适用于现代移动设备对高性能和电池寿命的严格要求。
容量:4Gb
类型:LPDDR4 DRAM
封装类型:BGA
电压:1.1V/1.5V
接口:LPDDR4
时钟频率:1600MHz
数据速率:3200Mbps
工作温度:-40°C ~ +85°C
H5TQ4G63AFRPBC 采用先进的LPDDR4技术,提供高达3200Mbps的数据传输速率,显著提高了设备的处理能力和响应速度。该芯片支持多银行(Multi-Bank)架构,能够同时处理多个数据请求,从而提高内存效率。此外,该DRAM芯片的工作电压为1.1V(核心电压)和1.5V(I/O电压),相比前代LPDDR3技术,功耗降低约20%-30%,有助于延长移动设备的电池续航时间。
H5TQ4G63AFRPBC 还支持多种节能模式,包括深度掉电模式(Deep Power-Down Mode)、自刷新模式(Self-Refresh Mode)和预充电功率下降模式(Precharge Power-Down Mode),以进一步优化功耗。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度电路板设计。该芯片还具备较高的稳定性和可靠性,适用于高要求的移动应用场景。
H5TQ4G63AFRPBC 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及其他需要高性能低功耗内存的电子设备。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,该芯片也适用于需要高效数据处理的物联网(IoT)设备和车载信息娱乐系统(IVI)。在嵌入式系统中,H5TQ4G63AFRPBC 可作为主内存(RAM)使用,支持复杂操作系统和多任务处理,提升整体系统性能。
H5TQ4G63AFR-PBC、H5TQ4G63FFR-PBC、H5TQ4G63AFR