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IRFR9024TR 发布时间 时间:2025/6/17 6:53:54 查看 阅读:4

IRFR9024TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了Trench技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,适合于需要高效能和高频开关的应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK),使其易于安装在各种电路板上。

参数

最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:3.9A
  导通电阻Rds(on):80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:3nC(典型值)
  开关时间:ton=25ns,toff=18ns(典型值)
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRFR9024TR具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 小型表面贴装封装(TO-252),节省空间且便于自动化装配。
  4. 优异的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  5. 可承受较高的浪涌电流,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRFR9024TR广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 各种消费类电子产品中的负载开关。
  5. 电池保护和充电管理电路中的关键组件。
  6. 照明系统中的调光控制和LED驱动电路。

替代型号

IRLML6402TRPBF, SI4867DP, FDMQ8207

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IRFR9024TR参数

  • 数据列表IRFR9024, IRFU9024
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)