时间：2025/6/28 23:27:00
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SUD50N10-18P-E3是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻和高切换速度的特点，能够有效降低能量损耗并提升系统效率。
该型号由Semikron（赛米控）制造，其设计目标是为工业级应用提供可靠且高性能的功率处理能力。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：50A
最大栅极漏电流：100nA
最大漏源导通电阻：2.5mΩ
结温范围：-55℃至+175℃
热阻（结到壳）：0.2°C/W
总功耗：400W
封装类型：D2PAK（TO-263）
SUD50N10-18P-E3采用了先进的半导体制造工艺，确保了以下卓越性能：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少传导损耗，适合大电流应用。
2. 高速开关特性，使其在高频操作下表现出色。
3. 出色的热性能设计，可承受较高的功率密度。
4. 良好的抗雪崩能力和鲁棒性，提升了器件的可靠性。
5. 小型化封装形式，便于PCB布局与散热设计。
这些特性使得该器件非常适合于需要高效功率转换或高电流承载能力的应用场合。
该功率MOSFET的主要应用场景包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中用于同步整流或降压升压拓扑。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他能源管理系统的功率调节部分。
5. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
由于其优秀的电气特性和热性能，SUD50N10-18P-E3成为许多高性能电力电子设计的理想选择。
SUD50N10-18P-E2, SUD50N10-18P-E4
