时间：2025/8/6 9:47:07
阅读：21
IXTH160N10T是一款由Littelfuse公司（原IXYS Corporation）制造的高功率N沟道MOSFET晶体管，属于该公司HiPerFET?功率MOSFET系列。这款MOSFET专为高电流、高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于如电源转换器、逆变器、马达驱动器等高功率电子设备。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于工业级和高可靠性应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（Ptot）：320W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
IXTH160N10T MOSFET具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为5.5毫欧姆，这大大降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件采用了先进的平面技术，提供出色的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。其高漏极电流能力达到160A，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统响应速度和能效。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作温度。该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性和可靠性。由于其出色的电气和热性能，IXTH160N10T非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制以及工业自动化设备中的高功率场合。
在封装方面，TO-247是一种广泛使用的标准功率封装，具有良好的机械强度和热传导性能。它支持多种安装方式，包括通孔焊接和散热片固定，便于工程师在PCB设计中灵活应用。IXTH160N10T的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到现有的功率系统中。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和设计灵活性方面都具有显著优势，是高功率应用中的理想选择。
IXTH160N10T广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、马达驱动器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及电动车充电系统等。其高电流能力和低导通损耗使其成为高效能、高可靠性设计的理想选择。
IXTH160N10T4、IXFH160N10T、IXTK160N10T
