时间：2025/5/29 1:19:48
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PESD0402V12P01 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的双向静电放电 (ESD) 保护器件，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电、浪涌电压和瞬态电压的损害。该元器件具有极低的电容特性，适用于高速数据接口，如 USB、HDMI 和以太网等应用。
它采用超小尺寸的封装（DFN 封装），能够满足便携式和空间受限设计的需求。PESD0402V12P01 提供了高达 ±12V 的工作电压范围，同时支持高 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 国际标准。
型号：PESD0402V12P01
工作电压：±12V
峰值脉冲电流：±15A
结电容：0.8pF
响应时间：≤1ns
封装形式：DFN0402
最大工作温度：-55°C 至 +150°C
漏电流：±1nA（最大值）
1. 双向保护功能，可有效防护正负极性静电冲击。
2. 极低的结电容（0.8pF），适合高速信号线路。
3. 快速响应时间（≤1ns），确保对瞬态电压的快速抑制。
4. 超小型封装（DFN0402），节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持高达 ±15A 的峰值脉冲电流，具备强大的过流承受能力。
7. 工作温度范围宽，适应各种恶劣环境。
PESD0402V12P01 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场合，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 高速通信接口：USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、以太网。
3. 工业控制设备：传感器接口、工业总线。
4. 汽车电子系统：车载信息娱乐系统、摄像头模块。
5. 网络设备：路由器、交换机和其他网络终端设备。
PESD0402V12PA01, PESD0402V12T01
