时间：2025/6/10 8:51:07
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302R29N680JV4E 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该型号广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景中。其主要特点是低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该器件采用先进的半导体制造工艺，具备出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：29A
导通电阻：0.02Ω
栅极电荷：150nC
开关时间：ton=65ns, toff=75ns
工作结温范围：-55℃至175℃
302R29N680JV4E 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 680V，适用于高压环境中的功率控制。
2. 大电流承载能力：支持高达 29A 的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
3. 极低的导通电阻：仅为 0.02Ω，从而减少传导损耗，提高整体效率。
4. 快速开关性能：具备较小的栅极电荷以及较短的开关时间，可实现高频开关操作。
5. 宽温度范围：工作结温范围从 -55℃ 到 175℃，适应多种恶劣工作条件。
6. 强大的抗雪崩能力：能够承受瞬时过载和浪涌电流，增强系统的鲁棒性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于高效的电压转换。
2. 电机驱动电路，提供大电流输出以驱动各类电机。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电设备中的功率转换。
5. 汽车电子系统，如电动车驱动控制器和车载充电器。
6. 高效 DC-DC 转换器设计，支持宽输入电压范围和高效率输出。
IRFP290N
FDP17N65
STP29NF68L
