IXFH60N20F 时间：2025/8/6 8:23:38 阅读：23

IXFH60N20F是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率应用场合，如电源转换、电机控制和逆变器系统。这款MOSFET具备低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，能够提供出色的开关性能和热稳定性。其TO-247封装形式有助于实现良好的散热效果，适合在高功率密度设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值48mΩ
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXFH60N20F具有多个关键特性，使其适用于高功率电子系统。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件能够承受高达200V的漏源电压，并在高电流条件下稳定运行，最大漏极电流为60A。此外，其高功率耗散能力（300W）使其在高负载条件下也能保持良好性能。
　　该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了卓越的热稳定性和长期可靠性。其TO-247封装形式不仅提供良好的热管理，还便于安装和散热器连接，适用于需要高效散热的应用场景。
　　另外，IXFH60N20F具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。它还内置了抗雪崩击穿能力，可在高能量瞬态条件下提供一定的保护，提高系统的鲁棒性。

应用

IXFH60N20F广泛应用于高功率电子设备，如DC-AC逆变器、电机驱动器、电源供应器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等。它适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的工业控制系统。在电机控制应用中，该MOSFET能够提供稳定的高电流输出，支持高效能电机驱动。在电源转换系统中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体效率。此外，该器件还可用于高功率DC-DC转换器和电池管理系统，以满足各种工业和消费类电子设备的需求。