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IXFA18N60X 发布时间 时间:2025/8/6 6:21:46 查看 阅读:19

IXFA18N60X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高电流的应用。该器件封装在 TO-247AC 外壳中,具有优异的热性能和高耐压能力,适合用于开关电源、逆变器、电机控制和功率因数校正等应用。IXFA18N60X 采用先进的硅技术,能够在高频率下运行,同时提供较低的导通电阻和快速的开关特性。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流:18A
  最大漏源电压:600V
  导通电阻(Rds(on)):0.25Ω
  栅极电压(Vgs):±30V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  功耗:200W
  封装:TO-247AC

特性

IXFA18N60X 的主要特性之一是其高耐压能力,漏源极之间的最大电压可达 600V,这使得该器件非常适合用于高电压应用,例如工业电源和电机驱动器。此外,其较低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,从而提高系统的整体效率。这种 MOSFET 还具有快速的开关速度,使其能够在高频下运行,从而减小了功率转换器的尺寸和重量。
  该器件的封装设计采用了 TO-247AC 标准,这种封装具有良好的热传导性能,可以有效散发工作过程中产生的热量。这不仅提高了器件的可靠性,还能延长其使用寿命。IXFA18N60X 的栅极驱动电压范围为 ±30V,这意味着它可以与多种类型的驱动电路兼容,包括常见的 +15V 和 +20V 驱动器。
  此外,IXFA18N60X 具有良好的热稳定性和短路耐受能力,可以在高负载条件下保持稳定运行。其内部结构设计优化了电场分布,减少了电场集中导致的击穿风险,从而提高了器件的耐用性。这些特性使得 IXFA18N60X 在恶劣的工作环境中也能保持出色的性能。

应用

IXFA18N60X 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统。典型应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器、电机控制电路、功率因数校正(PFC)模块以及工业自动化设备。此外,它也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统,其中高可靠性和高效率是关键要求。

替代型号

IXFH18N60P、IXFK18N60T、IRFP460LC、STF18N60DM2、SiHP18N60

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IXFA18N60X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥53.66580管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)230 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1440 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)320W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB