IXFA18N60X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高电流的应用。该器件封装在 TO-247AC 外壳中,具有优异的热性能和高耐压能力,适合用于开关电源、逆变器、电机控制和功率因数校正等应用。IXFA18N60X 采用先进的硅技术,能够在高频率下运行,同时提供较低的导通电阻和快速的开关特性。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流:18A
最大漏源电压:600V
导通电阻(Rds(on)):0.25Ω
栅极电压(Vgs):±30V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
功耗:200W
封装:TO-247AC
IXFA18N60X 的主要特性之一是其高耐压能力,漏源极之间的最大电压可达 600V,这使得该器件非常适合用于高电压应用,例如工业电源和电机驱动器。此外,其较低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,从而提高系统的整体效率。这种 MOSFET 还具有快速的开关速度,使其能够在高频下运行,从而减小了功率转换器的尺寸和重量。
该器件的封装设计采用了 TO-247AC 标准,这种封装具有良好的热传导性能,可以有效散发工作过程中产生的热量。这不仅提高了器件的可靠性,还能延长其使用寿命。IXFA18N60X 的栅极驱动电压范围为 ±30V,这意味着它可以与多种类型的驱动电路兼容,包括常见的 +15V 和 +20V 驱动器。
此外,IXFA18N60X 具有良好的热稳定性和短路耐受能力,可以在高负载条件下保持稳定运行。其内部结构设计优化了电场分布,减少了电场集中导致的击穿风险,从而提高了器件的耐用性。这些特性使得 IXFA18N60X 在恶劣的工作环境中也能保持出色的性能。
IXFA18N60X 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统。典型应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器、电机控制电路、功率因数校正(PFC)模块以及工业自动化设备。此外,它也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统,其中高可靠性和高效率是关键要求。
IXFH18N60P、IXFK18N60T、IRFP460LC、STF18N60DM2、SiHP18N60