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2SC2223-T1B 发布时间 时间:2025/4/30 9:22:12 查看 阅读:4

2SC2223-T1B 是一款 NPN 型高频双极性晶体管,主要用于射频 (RF) 放大器和混频器电路中。该晶体管具有高增益、低噪声特性和良好的频率响应性能,适用于通信设备、无线模块和其他高频电子应用。
  这款晶体管属于东芝 (Toshiba) 公司的产品系列,广泛应用于各种高性能射频场景。其封装形式通常为小型金属外壳,能够提供稳定的电气性能和可靠性。

参数

集电极-发射极电压:30V
  集电极最大电流:0.5A
  直流电流增益 (hFE):最小值60,典型值120
  过渡频率 (fT):800MHz
  噪声系数:2dB
  功率耗散:340mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

2SC2223-T1B 的主要特点是其出色的高频性能和低噪声特性,非常适合用于高频放大和混频电路。具体特性如下:
  1. 高频响应能力,过渡频率高达 800 MHz,使其成为射频应用的理想选择。
  2. 直流电流增益 (hFE) 在 60 到 120 范围内,保证了稳定的信号放大效果。
  3. 封装结构紧凑且耐用,能够在恶劣环境下保持较高的可靠性。
  4. 工作温度范围宽广,适应多种环境条件下的使用需求。
  5. 低噪声系数(约 2dB),确保在高频段的信号处理中减少失真和干扰。
  这些特点使该晶体管特别适合需要高稳定性和低噪声的应用领域,如无线电接收机、测试设备以及卫星通信系统中的前端模块。

应用

2SC2223-T1B 主要应用于以下领域:
  1. 射频 (RF) 放大器设计,特别是在需要高增益和低噪声性能的情况下。
  2. 混频器电路,用以实现频率转换功能。
  3. 无线通信设备中的高频信号处理部分,包括收发信机和基站模块。
  4. 测试与测量仪器中的高频信号生成和处理组件。
  5. 卫星通信系统及导航设备中的关键放大单元。
  由于其出色的高频特性和稳定性,该晶体管也常被用于实验开发和原型设计阶段,帮助工程师快速搭建和验证高频电路。

替代型号

2SC2223G, 2SC2222, BFR96

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