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STL130N6F7 发布时间 时间:2025/4/29 11:59:05 查看 阅读:29

STL130N6F7是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能电源管理应用。STL130N6F7的封装形式为TO-220,使其能够承受较高的电流负载并提供良好的散热性能。
  此MOSFET主要面向需要高性能和高可靠性的工业及消费类电子产品设计,其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:130A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:最高支持500kHz
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220

特性

STL130N6F7具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,适合于高功率密度的应用环境。
  3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,即使在极端温度范围内也能保持稳定的工作状态。
  5. 具备出色的雪崩能力和抗静电保护功能,增强了产品的耐用性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 各种负载切换场合,例如电池管理系统(BMS)或继电器替代方案。
  5. 逆变器与不间断电源(UPS)系统的关键组件。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP130NF6
  FDP158N
  IXTK130N06T2

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STL130N6F7参数

  • 现有数量13,445现货
  • 价格1 : ¥18.13000剪切带(CT)3,000 : ¥8.31088卷带(TR)
  • 系列STripFET? F7
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.8W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN