时间：2025/8/1 22:52:30
阅读：22
IS43R86400F-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该芯片的容量为64Mbit，组织结构为x8/x16，支持CMOS工艺制造，具备广泛的应用范围。其主要特点是工作电压为2.3V至3.6V，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合工业控制、通信设备、汽车电子等领域。
容量：64Mbit
组织结构：x8/x16
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
时钟频率：最大166MHz
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
功耗：低功耗设计
封装引脚数：54引脚
IS43R86400F-6BLI-TR 的主要特性包括高速数据访问、低功耗设计、宽电压工作范围以及出色的稳定性。其高速特性使其适用于需要快速数据处理的应用，例如网络设备、工业自动化和嵌入式系统。此外，该芯片的低功耗设计有助于延长设备的使用寿命并减少热量产生。其支持的工业级温度范围确保了在恶劣环境中的可靠性。
该芯片采用CMOS工艺制造，具有高噪声抑制能力和稳定性，同时支持自动刷新和自刷新模式，从而在系统掉电或低功耗状态下仍能保持数据的完整性。另外，IS43R86400F-6BLI-TR 的TSOP封装设计使其易于安装和焊接，适合高密度PCB布局。这些特性共同确保了其在各种高性能应用中的稳定性和可靠性。
IS43R86400F-6BLI-TR 主要应用于需要高速、低功耗存储的系统，例如工业控制系统、网络和通信设备、视频处理设备、医疗设备以及汽车电子系统。此外，它还适用于需要高可靠性和宽工作温度范围的嵌入式系统，例如工业自动化设备和高性能数据采集系统。该芯片的灵活性和稳定性使其成为众多高性能应用的理想选择。
IS43R86400F-6TLI-TR, IS43R86400B-6BLI-TR
