类型：SPDT RF Switch
　　工艺技术：UltraCMOS (SOI CMOS)
　　工作频率范围：DC ~ 6.0 GHz
　　封装类型：8-Pin PQFN (2 mm × 2 mm)
　　供电电压：+2.3V 至 +3.6V
　　控制接口：CMOS/TTL 兼容
　　插入损耗（典型值，@ 2.5 GHz）：0.5 dB
　　隔离度（典型值，@ 2.5 GHz）：45 dB
　　输入IP3（IIP3，典型值）：+67 dBm
　　P1dB 压缩点：+37 dBm
　　开关切换时间（上升/下降）：< 50 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD 耐压（HBM）：> ±2 kV

PE42722A-Z 采用Qorvo先进的UltraCMOS技术，这是一种基于绝缘体上硅（SOI）的CMOS工艺，能够在单一芯片上实现高性能的射频开关功能。这种工艺结合了传统砷化镓（GaAs）开关的高频性能优势与标准CMOS工艺的低成本、高可靠性和易于集成的特点。由于使用了SOI结构，器件内部的寄生效应被显著降低，从而实现了更低的插入损耗和更高的隔离度。在整个DC到6 GHz的宽频带范围内，PE42722A-Z均能保持平坦的频率响应，确保信号传输的一致性，特别适合多频段或多模式通信系统使用。
　　该开关具有极高的线性度指标，其输入三阶截取点（IIP3）高达+67 dBm，P1dB输出压缩点为+37 dBm，意味着在处理高功率或强干扰信号时仍能保持良好的信号保真度，不会引入明显的非线性失真。这一特性使其非常适合部署在基站前端模块、天线调谐系统或测试测量设备中，其中信号质量和动态范围至关重要。同时，快速的开关切换时间（小于50纳秒）使得它能够支持高速跳频、时分双工（TDD）等需要快速通道切换的应用场景。
　　PE42722A-Z 支持单电源供电，工作电压范围为2.3V至3.6V，兼容主流低压逻辑系统。其控制引脚直接接收CMOS/TTL电平信号，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂性和成本。内部集成的控制逻辑可自动管理开关状态，防止出现短暂的开路或短路情况，提高了系统的稳定性。此外，该器件具有出色的ESD防护能力，HBM模型下超过±2 kV，减少了因静电损坏导致的现场故障风险，提升了制造良率和长期运行可靠性。
　　小型化的8引脚PQFN封装（2 mm × 2 mm）使得PE42722A-Z非常适合用于高密度印刷电路板设计，尤其适用于便携式设备或模块化射频前端。其无铅、符合RoHS标准的封装材料也满足现代电子产品环保法规的要求。总体而言，PE42722A-Z是一款兼具高性能、高可靠性与易用性的射频开关，适用于对尺寸、功耗和信号完整性都有严格要求的先进无线系统。

PE42722A-Z广泛应用于多种射频和微波系统中，尤其是在需要高性能SPDT开关的通信基础设施领域。典型应用场景包括蜂窝网络基站中的天线切换与射频路由、小型蜂窝（Small Cell）设备中的频段选择开关、以及分布式天线系统（DAS）中的信号路径控制。由于其宽频率覆盖能力和高线性度，该器件也常用于工业级无线设备，如远程监控系统、智能电网通信模块和专用无线电台。
　　在测试与测量仪器方面，PE42722A-Z被用于自动测试设备（ATE）、矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪中的内部射频开关矩阵，实现多端口或多通道信号的快速切换。其低插入损耗和高隔离度有助于提高测量精度，减少通道间串扰。此外，在宽带通信系统中，例如软件定义无线电（SDR）平台，该开关可用于实现灵活的射频前端配置，支持多模多频操作。
　　其他应用还包括射频识别（RFID）读写器、无人机通信链路、卫星通信终端以及航空航天电子系统。在这些环境中，PE42722A-Z的高可靠性、宽温工作能力和抗干扰特性显得尤为重要。此外，由于其CMOS工艺带来的低功耗特性，也可用于部分电池供电或对热管理敏感的嵌入式系统中。

PE42721A-Z
　　PE42723A-Z
　　QS3A2P225