IXTA26P20P 时间：2025/12/27 3:00:57 阅读：12

IXTA26P20P是一款由IXYS公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关场合。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高可靠性以及优异的热性能，适用于多种工业、消费类和电信应用中的功率管理需求。其200V的漏源击穿电压使其能够在高压系统中稳定工作，同时具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极结构，能够承受瞬态过压和浪涌电流。IXTA26P20P通常用于DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、电源开关模块以及电池管理系统等场景。该器件封装在TO-220AB或类似的大功率塑料封装中，便于安装散热片以增强散热能力，从而提升整体系统的热稳定性与长期运行可靠性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体能效。由于其P沟道特性，在高端开关应用中可简化驱动电路设计，无需复杂的电平移位或自举电路，降低了系统成本与复杂度。

参数

型号：IXTA26P20P
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-200 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：-26 A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-104 A
　　导通电阻（RDS(on)）：85 mΩ（@ VGS = -10 V, ID = -13 A）
　　导通电阻（RDS(on)）：110 mΩ（@ VGS = -10 V, ID = -26 A）
　　栅极电荷（Qg）：170 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：4200 pF（@ VDS = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：96 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：200 W（@ TC = 25 °C）

特性

该P沟道MOSFET具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（RDS(on)），在高负载条件下显著降低导通损耗，提升系统效率。器件采用了优化的晶圆工艺，确保了单位面积内更高的载流能力，同时保持良好的均匀性和一致性。其坚固的栅氧化层设计支持高达±30V的栅源电压，增强了对静电放电（ESD）和电压瞬变的耐受能力，提高了在恶劣电磁环境下的可靠性。
　　IXTA26P20P具有快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得它在高频开关应用中表现优异，减少了开关延迟和死区时间，有利于实现更高频率的PWM控制。同时，其较短的反向恢复时间（trr）降低了体二极管在换流过程中的能量损耗，特别适用于半桥或全桥拓扑结构中需要频繁换向的应用。
　　该器件还具备优良的热传导性能，TO-220封装结合金属基板可有效将热量传递至外部散热器，从而维持较低的工作结温。即使在满负荷运行下，也能通过适当的热管理手段确保长期稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于极端环境条件下的工业和户外设备。
　　此外，作为P沟道器件，IXTA26P20P在高端开关配置中无需额外的驱动电源或自举电路，简化了电源设计并降低了BOM成本。其内置的体二极管也提供了自然的续流路径，增强了系统在感性负载切换时的安全性。综合来看，该MOSFET在高压、大电流、高效率要求的应用中展现出卓越的性能与可靠性。

应用

IXTA26P20P常用于各类中高功率电子系统中，如工业电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机控制器、电池供电设备以及电信整流模块等。其高压特性适合用于200V以下的直流母线系统，尤其适用于需要高端P沟道开关的场合，例如负压电源开关、电池极性保护电路、高边开关驱动器等。此外，也可用于太阳能微逆变器、电动车辅助电源系统及智能电表中的电源管理单元。凭借其高可靠性和强抗干扰能力，该器件也被广泛应用于工业自动化控制系统和医疗电源设备中。