类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：250V
　　最大漏极电流(Id)：110A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大11.0毫欧
　　栅极电荷(Qg)：典型值为170nC
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247

IXFV110N25TS具备多项优秀的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，IXFV110N25TS的沟槽栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，同时提高了热稳定性。
　　该MOSFET还具备优异的耐用性和可靠性，能够承受高温度和高电流应力。TO-247封装提供了良好的散热能力，确保在高温环境中依然保持稳定性能。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流，防止因瞬态故障而导致的损坏。
　　IXFV110N25TS在设计上还优化了栅极驱动特性，使其在高频开关应用中表现出色。其较低的栅极电荷（Qg）意味着更少的驱动功率需求，提高了开关速度并减少了能量损耗。这使得该器件非常适合用于开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统和电机驱动器等高频率应用场景。

IXFV110N25TS广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、交流-直流整流器、电机控制和驱动电路、逆变器以及不间断电源（UPS）系统。此外，该MOSFET也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等高功率电子设备中。

IXFV110N25T2, IXFN110N25T, IXFH110N25T