5AGXFB3H4F35I5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等高功率应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
这款功率 MOSFET 的设计重点在于减少能量损耗,同时提供快速的开关速度和稳定的电气特性,确保在高频率工作条件下的稳定性。
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:85nC
最大功耗:180W
封装形式:TO-247
5AGXFB3H4F35I5N 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效的开关电源设计。
3. 高额定电压和电流,可承受较大的功率负载,满足工业应用需求。
4. 优秀的热性能设计,通过优化的封装结构实现高效的散热管理。
5. 内置静电保护功能,增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
6. 紧凑型封装,易于集成到各种电路板设计中。
5AGXFB3H4F35I5N 广泛应用于多种高功率场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关元件。
2. 工业电机控制与驱动电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 电动汽车充电桩和车载充电器的关键组件。
5. 各类负载切换及保护电路。
6. 不间断电源(UPS)系统中的功率级器件。
IRFP460, FQA20065, STP200N60F5