时间：2025/4/29 9:37:29
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5AGXFB3H4F35I5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等高功率应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
这款功率 MOSFET 的设计重点在于减少能量损耗，同时提供快速的开关速度和稳定的电气特性，确保在高频率工作条件下的稳定性。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：85nC
最大功耗：180W
封装形式：TO-247
5AGXFB3H4F35I5N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效的开关电源设计。
3. 高额定电压和电流，可承受较大的功率负载，满足工业应用需求。
4. 优秀的热性能设计，通过优化的封装结构实现高效的散热管理。
5. 内置静电保护功能，增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
6. 紧凑型封装，易于集成到各种电路板设计中。
5AGXFB3H4F35I5N 广泛应用于多种高功率场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主功率开关元件。
2. 工业电机控制与驱动电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 电动汽车充电桩和车载充电器的关键组件。
5. 各类负载切换及保护电路。
6. 不间断电源（UPS）系统中的功率级器件。
IRFP460, FQA20065, STP200N60F5
