类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-323（SC-70）

A2002WV-4P是一款适用于高频和低功耗应用的P沟道MOSFET。其主要特性包括较低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率；同时，由于其快速的开关特性，适合用于需要高频率操作的电路中，如射频开关、模拟开关以及数字逻辑电路。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同电源电压条件下稳定运行，增强了其在多种应用环境下的适用性。
　　另一个关键特性是其紧凑的SOT-323封装，这使得A2002WV-4P非常适合空间受限的设计，例如便携式电子设备、无线通信模块和传感器接口电路。该封装还具有良好的热管理能力，确保器件在正常工作条件下能够维持较低的工作温度，从而提高长期运行的可靠性。
　　从电气特性来看，A2002WV-4P在低电压条件下仍能保持良好的性能，适用于电池供电系统和低功耗控制电路。其栅极绝缘层设计能够承受高达±12V的栅源电压，从而提供更高的抗过压能力，避免因栅极电压波动而导致的器件损坏。这种稳健的设计使得A2002WV-4P在各种工业和消费类电子应用中具有广泛的适用性。

A2002WV-4P 主要用于需要低电压、低功耗和高频率特性的电子电路中。其常见的应用包括射频开关电路、模拟信号切换、数字逻辑控制、电源管理模块以及电池供电设备中的负载开关控制。此外，该器件也广泛应用于无线通信系统中的天线切换、低功耗传感器网络、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和穿戴设备）中的电源管理单元等场景。
　　在射频应用中，A2002WV-4P能够作为射频信号路径的开关，实现信号的高效切换而不引入显著的插入损耗。在数字电路中，它可作为逻辑电平转换器或缓冲器，用于控制低功耗外围设备的启用和禁用状态。同时，由于其封装小巧，A2002WV-4P也非常适合用于空间受限的高密度PCB布局中。

Si2301DS、2N7002、FDV301N、DMG3415V、2N7002K、R6004KN