时间：2025/6/9 10:23:33
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CBR06C909C1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片，适用于高频和高功率应用场景。该芯片基于先进的 SiC 技术制造，能够显著提高功率转换效率并降低开关损耗。
它具有快速开关特性、高耐压能力以及低导通电阻等优势，使其成为电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等领域中的理想选择。
额定电压：900V
额定电流：6A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBR06C909C1GAC 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（900V），适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（90mΩ），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，从而减小系统尺寸和重量。
4. 热稳定性强，在极端温度范围内表现优异。
5. 减少电磁干扰 (EMI)，得益于其优化的开关波形设计。
6. 提供更高的能效和更长的使用寿命，适用于高可靠性需求的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的牵引逆变器及车载充电器。
2. 工业电机驱动器与可再生能源系统的功率转换模块。
3. 太阳能光伏逆变器和储能系统。
4. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
5. 不间断电源 (UPS) 和电信基础设施中的高效功率管理设备。
CMF20090Z, SCT21N90K, FFC009P9S
