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IRF7420TRPBF 发布时间 时间:2025/6/12 16:00:25 查看 阅读:8

IRF7420TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装形式,适用于高功率密度应用场合。其出色的导通电阻和开关性能使得IRF7420TRPBF在电机驱动、DC-DC转换器、负载切换等应用中表现出色。
  这款MOSFET设计工作电压范围为60V,具备低导通电阻特性以减少功率损耗,并且支持高频开关操作,有助于提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:87nC
  输入电容:3940pF
  总热阻(结到环境):123℃/W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF7420TRPBF具有非常低的导通电阻,仅为1.3mΩ,这可以显著降低传导损耗,提高能效。
  它采用了先进的TOLL封装技术,这种封装方式不仅增强了散热性能,还提供了更高的功率密度和更小的寄生电感。
  此外,该器件的栅极电荷较小,只有87nC,这意味着其开关速度较快,能够有效减少开关损耗。
  TOLL封装还具备背面银涂层,可实现高效的热管理和电气连接,非常适合表面贴装技术(SMT)应用。
  该MOSFET的工作温度范围很宽,从-55℃到175℃,确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。

应用

IRF7420TRPBF广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业电源和服务器电源中的DC-DC转换器;
  2. 电动工具和家用电器中的无刷直流电机驱动;
  3. 高端汽车电子系统中的负载切换和电源管理;
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块;
  5. 通信基站中的高效功率放大器和电源供应单元。

替代型号

IRF7418TRPBF, IRF7422TRPBF

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IRF7420TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 11.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3529pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7420PBFTRIRF7420TRPBF-NDIRF7420TRPBFTR-ND