时间：2025/9/14 12:41:01
阅读：24
PDTD123EQAZ 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及各种电源管理应用。PDTD123EQAZ 采用紧凑的 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：65nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PDTD123EQAZ 的核心优势在于其低导通电阻和高电流处理能力，这使其在高功率密度设计中表现优异。其导通电阻仅为 4.2mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温条件下保持稳定工作，从而延长了使用寿命。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，栅极电荷仅为 65nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。PowerFLAT 5x6 封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，还提供了优异的散热性能，确保器件在高负载下依然保持较低的工作温度。
在可靠性方面，PDTD123EQAZ 经过了严格的测试与验证，符合 AEC-Q101 汽车级标准，适用于汽车电子系统，如电动助力转向、车载充电器、DC-DC 转换器等。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）也使其在极端环境下依然能够稳定运行。
PDTD123EQAZ 主要应用于高效率电源系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动自行车控制器、车载充电器等。由于其符合汽车电子标准，因此广泛用于汽车电子领域，如电动助力转向系统、车载逆变器、LED 照明驱动器等。此外，它也可用于工业自动化设备、服务器电源、UPS（不间断电源）以及高功率 LED 灯具等需要高效率功率开关的场合。
IPD90N03S4-03, FDP80N30H, NTD80N03R2G
