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IS66WV51216DBLL-70BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:20:34 查看 阅读:7

IS66WV51216DBLL-70BLI 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的存储容量为512K x 16位,适用于需要快速数据存取和低功耗的应用场合。该器件采用CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性,并且支持商业级和工业级温度范围,适用于各种工业控制、通信设备和网络设备。

参数

容量:512K x 16位
  组织结构:512K地址 x 16位数据
  访问时间:70ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  输入/输出电平:TTL兼容
  最大工作电流:120mA(典型值)
  待机电流:10mA(典型值)
  数据输出模式:三态输出
  封装尺寸:54-TSOP(18.4mm x 20.0mm)

特性

IS66WV51216DBLL-70BLI 静态随机存取存储器(SRAM)采用高性能CMOS工艺制造,具有出色的高速存取能力和低功耗特性。该芯片的访问时间为70纳秒,能够满足高速数据处理的需求,同时在待机模式下功耗极低,适用于对功耗敏感的应用环境。其三态输出设计允许在多路系统中实现高效的数据总线管理。此外,该芯片的TTL兼容输入/输出接口使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接。其封装采用54引脚TSOP设计,尺寸紧凑,便于PCB布局和安装。该芯片的工业级温度范围确保其在严苛环境中仍能稳定运行,适用于工业控制、通信基础设施、网络设备等对可靠性要求较高的应用场景。
  该芯片的内部存储结构采用双晶体管-双负载单元设计,提供良好的稳定性和抗干扰能力。通过优化的电路设计,IS66WV51216DBLL-70BLI 在高速运行的同时保持较低的动态功耗。此外,其异步控制信号(如CE、OE、WE)允许与多种异步控制逻辑配合使用,提高了系统的灵活性和兼容性。

应用

IS66WV51216DBLL-70BLI 主要应用于需要高速存取和可靠数据存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备中的数据缓冲区、工业自动化控制器、通信基站的临时存储器、测试设备的数据采集缓存以及消费类电子产品中的高性能存储单元。由于其工业级温度范围和高稳定性,该芯片也广泛用于汽车电子、安防监控设备和智能仪表等对环境适应性要求较高的领域。

替代型号

IS66WV51216DBLL-70BLI的替代型号包括ISSI的IS66WV51216BLL-70BLI(54-TSOP封装)、Cypress的CY62157EV30LL-70BGI和Renesas的IDT71V128SA70PFGI。这些型号在功能、性能和封装方面具有较高的兼容性,可以根据具体需求进行替换。

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IS66WV51216DBLL-70BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量480