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H5TC4G43MFR-G7A 发布时间 时间:2025/9/1 15:58:00 查看 阅读:12

H5TC4G43MFR-G7A 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度DRAM产品线。这款芯片被广泛用于需要高性能内存的应用中,例如计算机系统、服务器、网络设备以及消费类电子产品。该DRAM芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的稳定性和较小的体积,适合现代电子设备对高密度和小型化的要求。H5TC4G43MFR-G7A 支持高速数据传输,是许多电子设备中关键的存储组件。

参数

容量:4Gbit
  组织结构:x4/x8/x16
  电压:1.35V / 1.5V
  速度等级:-7A(对应时钟频率为166MHz,数据传输速率为333Mbps)
  封装类型:FBGA
  数据宽度:4/8/16位
  工作温度范围:0°C至+85°C
  JEDEC标准兼容性:支持低功耗DDR3标准
  刷新周期:64ms

特性

H5TC4G43MFR-G7A DRAM芯片具备多项显著的性能特点,适用于多种应用场景。首先,其容量为4Gbit,能够为设备提供充足的存储空间以满足现代应用对内存的需求。该芯片支持x4/x8/x16三种数据组织结构,这种灵活性使其能够适应不同的系统设计需求。
  在电压方面,H5TC4G43MFR-G7A支持1.35V和1.5V两种电源电压,符合低功耗DDR3(LPDDR3)标准,能够在保证性能的同时降低能耗。这对于便携式设备和低功耗系统尤为重要,有助于延长电池寿命并减少散热需求。
  该芯片的速度等级为-7A,对应的时钟频率为166MHz,数据传输速率为333Mbps。这一高速特性使其能够在需要快速数据访问的应用中表现出色,例如图形处理、多媒体应用和高性能计算系统。
  封装方面,H5TC4G43MFR-G7A采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,这种封装形式不仅提供了良好的电气性能,还具有较高的封装密度和较强的散热能力。此外,FBGA封装有助于提高芯片在高频工作时的稳定性,适用于紧凑型设计和高密度PCB布局。
  该芯片的工作温度范围为0°C至+85°C,能够在较为严苛的环境条件下稳定运行,适合工业级和消费级应用。此外,它支持64ms的刷新周期,确保了数据的稳定性和可靠性。
  总的来说,H5TC4G43MFR-G7A是一款性能优异、功耗低且适应性强的DRAM芯片,广泛适用于现代电子设备的需求。

应用

H5TC4G43MFR-G7A DRAM芯片因其高性能和低功耗特性,广泛应用于多个领域。首先,它常用于移动设备,如智能手机和平板电脑,为这些设备提供快速的数据访问和高效的内存管理。由于其支持低电压操作,有助于延长电池续航时间,因此非常适合便携式电子产品。
  在计算机系统中,该芯片可用于笔记本电脑和超极本等设备,提供高速内存支持,从而提升系统运行效率和响应速度。服务器和网络设备也常采用H5TC4G43MFR-G7A,以满足大数据处理和高速网络传输的需求。
  此外,该芯片还适用于嵌入式系统,例如工业控制设备、医疗设备和汽车电子系统。其宽温度范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定运行,满足工业和汽车应用的严格要求。
  消费类电子产品如智能电视、机顶盒和游戏机也广泛使用这款DRAM芯片,以支持高清视频播放和复杂图形处理需求。最后,H5TC4G43MFR-G7A还适用于需要大容量内存的物联网(IoT)设备,为其提供高效的数据处理能力。

替代型号

H5TC4G43AFR-G7C,H5TC4G43MFR-PBA,H5TC4G63AHR-G7C,H5TC4G63AMR-G7C

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