时间：2025/7/4 5:58:54
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RF03N150G250CT 是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，专为高频、高效能应用设计。该器件采用增强型 GaN 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低损耗。其主要应用于高频 DC-DC 转换器、无线充电、电机驱动等领域。
RF03N150G250CT 的封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型，适合高密度电路板布局，并且具备良好的热性能，确保在高功率密度应用中的稳定性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：3A
导通电阻：250mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：高达 10MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
结温：175℃
RF03N150G250CT 具有非常低的导通电阻，仅为 250 毫欧姆，这使得它在功率转换应用中表现出极低的传导损耗。
此外，该器件支持高达 10MHz 的开关频率，远高于传统硅基 MOSFET，从而可以使用更小的无源元件，减少整体解决方案尺寸。
GaN 技术赋予了 RF03N150G250CT 更快的开关速度和更低的寄生电感，有助于提升系统效率。
同时，其小型化的封装与良好的热管理能力相结合，使其非常适合空间受限的设计环境。
RF03N150G250CT 广泛用于需要高效率和高频率操作的场景，例如消费类电子产品的适配器、无线充电发射器、电动汽车中的车载充电器以及工业设备中的高频 DC-DC 转换器。
此外，该器件也适用于电机驱动控制、LED 驱动器以及可再生能源系统中的逆变器等应用领域。
RF03N150G200CT
RF04N150G250CT
GAN063-650WSA
