CKC18X273FWGAC7210 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
这款MOSFET具有N沟道增强型结构,适用于需要高效能和低损耗的应用场景。其设计旨在优化系统的整体效率,并提供强大的耐用性和可靠性。
类型:N沟道 MOSFET
电压(Vds):60V
电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
CKC18X273FWGAC7210 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力,能够支持大功率应用需求。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并提高高频下的效率。
4. 强大的雪崩能力和抗浪涌能力,确保在恶劣条件下的稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的要求。
这些特点使 CKC18X273FWGAC7210 成为工业级和汽车级应用的理想选择。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如适配器、充电器和逆变器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路。
5. 大功率 LED 照明驱动器。
6. 能量存储系统中的电池管理模块。
由于其卓越的电气特性和机械强度,CKC18X273FWGAC7210 在高可靠性要求的应用中表现尤为突出。
CKC18X274FWGAC7210, IRF540N, FDP17N60